| Tipo de componente |
IGBT N‑Channel (cuarta generación, con diodo entre emisor y colector integrado) |
| Tensión colector‑emisor máxima (VCES) |
1000 V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGE) |
± 25 V |
| Corriente continua de colector (IC) |
60 A |
| Corriente de colector en pulso / pico (ICP, 1 ms) |
120 A |
| Potencia máxima de disipación (PD, case 25 °C) |
170 W |
| Temperatura máxima de unión / operación |
150 °C |
| Caída colector‑emisor en saturación (VCE(sat), típico, IC=60 A) |
≈ 2.3 V |
| Tipo de dispositivo / complementos |
IGBT velocidad “high‑power / high‑voltage”, con diodo interno (FRD) emisor‑colector. |
| Encapsulado / paquete |
TO‑3P (montaje a disipador / tornillo, through‑hole) |
| Notas de conmutación / recuperación |
Tiempo de apagado típico relativamente bajo (tf ≈ 0.25 µs con IC=60 A), recuperación del diodo trr ≈ 0.8 µs (di/dt ≈ –20 A/µs). |
