| Tipo de dispositivo |
IGBT canal N, modo “enhancement‑mode”, con diodo antiparalelo integrado |
| Tensión colector-emisor máxima (V_CE) |
500 V |
| Corriente continua de colector (I_C) nominal |
≈ 10 A (algunas fuentes permiten hasta 17.5 A bajo ciertas condiciones) |
| Potencia máxima disipada (P_D) |
≈ 75 W (TC = 25 °C) |
| Voltaje colector‑emisor en conducción (V_CE(on)) máximo típico |
≈ 2.5 V (para I_C = 10 A, V_GE = 10 V) |
| Voltaje puerta‑emisor máximo |
± 20 V |
| Rango temperatura de unión (junction) |
‑55 °C a +150 °C |
| Paquete / encapsulado |
TO‑220 (TO‑220AB / TO‑220‑3) |
| Uso / Aplicaciones típicas |
Fuentes conmutadas, drivers de motores, etapas de potencia media, conmutación de cargas con tensión hasta ~500 V. |
