Parámetro	Valor / Detalle
Tipo de dispositivo	IGBT canal N, modo “enhancement‑mode”, con diodo antiparalelo integrado
Tensión colector-emisor máxima (V_CE)	500 V
Corriente continua de colector (I_C) nominal	≈ 10 A (algunas fuentes permiten hasta 17.5 A bajo ciertas condiciones)
Potencia máxima disipada (P_D)	≈ 75 W (TC = 25 °C)
Voltaje colector‑emisor en conducción (V_CE(on)) máximo típico	≈ 2.5 V (para I_C = 10 A, V_GE = 10 V)
Voltaje puerta‑emisor máximo	± 20 V
Rango temperatura de unión (junction)	‑55 °C a +150 °C
Paquete / encapsulado	TO‑220 (TO‑220AB / TO‑220‑3)
Uso / Aplicaciones típicas	Fuentes conmutadas, drivers de motores, etapas de potencia media, conmutación de cargas con tensión hasta ~500 V.

HGTP10N50C1D FSC