| Tipo de dispositivo |
IGBT, tecnología Infineon Technologies, serie TRENCHSTOP 5 |
| Tensión colector‑emisor máxima (V_CE) |
650 V |
| Corriente continua de colector (I_C) |
74 A (valor máximo según especificación) |
| Corriente de colector pulsada (I_CM) |
120 A |
| Potencia máxima disipada (P_D) |
≈ 255 W |
| Caída colector‑emisor en conducción (V_CE(on)) típica / máxima |
≈ 2.1 V @ V_GE = 15 V, I_C = 40 A |
| Carga de compuerta (Gate charge Q_G) |
≈ 95 nC |
| Tiempos de conmutación típicos (switching) |
Turn‑on ~ 22 ns, Turn‑off ~ 165 ns (condiciones de prueba) |
| Tiempo de recuperación inversa del diodo interno (trr) |
≈ 62 ns |
| Voltaje puerta‑emisor máximo permitido |
± 20 V (puerta‑emisor) |
| Temperatura de operación (junción) |
–40 °C … +175 °C |
| Encapsulado / paquete |
TO‑247-3 (through‑hole) |
| Diodo antiparalelo interno |
Sí — IGBT + diodo integrado |
