SGW50N60HS INFINEON
| IGBT SGW50N60HS 50A 600V TO-247 MARCA INFINEON |
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo | IGBT High-Speed (NPT) |
| Voltaje colector-emisor (V₍CE₎ máx.) | 600 V |
| Corriente de colector continua (I_C) | 100 A (a T₍C₎ = 25 °C) / 50 A (a T₍C₎ = 100 °C) |
| Corriente de pulso (I_CM) | 150 A |
| Voltaje puerta-emisor (V_GE) | ±20 V (continuo) / ±30 V (transitorio) |
| Tiempo de soporte en cortocircuito (t_SC) | 10 µs |
| Voltaje de saturación (V_CE(sat)) | ~2.8 V (I_C = 50 A, T_j = 25 °C) ~3.15 V (T_j = 150 °C) |
| Energía de avalancha (E_AS) | 280 mJ (IC = 50 A) |
| Potencia total disipada (P_tot) | 416 W |
| Temperatura de unión (T_j) | –55 °C a +150 °C |
| Resistencia térmica unión-carcasa (R_thJC) | 0.3 K/W |
| Corriente de fuga colector (I_CES) | hasta ~3000 µA (a 150 °C) |
| Corriente de fuga puerta (I_GES) | ≤ 100 nA |
| Transconductancia (g_fs) | ~31 S |
| Capacitancia de entrada (C_iss) | ~2570 pF |
| Capacitancia de salida (C_oss) | ~245 pF |
| Capacitancia inversa de realimentación (C_rss) | ~158 pF |
| Carga de puerta total (Q_g) | ~179 nC (V_GE = 15 V) |
| Inductancia interna del emisor (L_e) | ~13 nH |
| Energía de conmutación (a 25 °C) | E_on ≈ 1.08 mJ E_off ≈ |
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