| Tipo de dispositivo |
IGBT N‑Channel Trench Field Stop |
Transistor de potencia para conmutación |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
1200 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) |
±25 |
V |
| Corriente continua de colector |
50 |
A (TC=25 °C) |
| Corriente continua de colector |
25 |
A (TC=100 °C) |
| Corriente pulsada de colector |
75 |
A (pulsos cortos) |
| Potencia máxima disipada |
313 |
W (TC=25 °C) |
| Voltaje de saturación C‑E (VCE(on)) |
2.0 (máx) |
V @ VGE=15 V, IC=25 A |
| Carga total de puerta (Qg) |
160 |
nC |
| Tiempos típicos de conmutación |
48 ns (encendido) / 210 ns (apagado) |
ns @ 25 °C |
| Energía de conmutación |
~0.34 mJ (on), ~0.9 mJ (off) |
Energía típica de switching |
| Diode continuous forward current |
25 |
A (diode integrado con IGBT) |
| Reverse recovery time (trr) |
~770 |
ns (diodo) |
| Temperatura de operación (Tj) |
−55 a +150 |
°C |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑3P (SC‑65‑3) |
Montaje en disipador térmico |
