Parámetro / Característica	Valor / Detalle
Tipo / Tecnología	IGBT “Field-Stop” (transistor bipolar de puerta aislada)
Voltaje máximo colector-emisor (V_CES / V_CEO)	600 V
Corriente continua máxima de colector (I_C)	40 A
Corriente de colector pulsada máxima (I_cm)	60 A
Potencia máxima disipada (case / disipación)	165 W
Caída saturación colector-emisor (V_CE(sat)) típica / a condición estándar	~ 2.2 V @ I_C = 20 A (low-loss)
Encapsulado / paquete	TO-247-3 (montaje through-hole / flange-mount)
Temperatura de operación (unión)	–55 °C … +150 °C
Tipo de configuración	Single IGBT (único transistor)
Características de conmutación / puerta	Alta impedancia de entrada, switching rápido — optimizado para baja pérdida de conducción y de conmutación.
Aplicaciones habituales	Inversores, UPS, fuentes conmutadas, PFC, control de potencia, control de motores, fuentes de alimentación industriales

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