| Tipo de dispositivo |
MOSFET N‑canal (Super‑Junction) |
| Tensión drenador-fuente (VDSS) |
600 V |
| Corriente continua de drenador (ID) |
47 A (a temperatura de case) |
| Resistencia drenador-fuente en conducción (RDS(on)) |
Máx. 0,07 Ω (a 30 A y VGS = 10 V) |
| Umbral de puerta (VGS(th)) |
2 V (mín) — 4 V (máx) (a ID = 2 mA) |
| Voltaje máximo puerta-fuente (VGS) |
±20 V |
| Carga de puerta (QG) |
~650 nC (cuando VGS va de 0 a 10 V) |
| Resistencia térmica unión‑caso (RthJC) |
0,30 K/W |
| Energía de avalancha (EAS) |
≈ 1800 mJ (pulso a 10 A, TC = 25 °C) |
| Temperatura de operación (TJ) |
–55 °C hasta +150 °C |
| Corriente de recuperación del diodo interno |
Compatible con recuperación en aplicaciones conmutadas (según hoja de datos) |
| Encapsulado |
TO‑247 (3 pines) |
