Parámetro Valor típico / máximo
Tipo Transistor bipolar (BJT), Darlington
Polaridad NPN
Encapsulado TO‑3 (TO‑204 metálico)
Voltaje colector‑emisor máximo (VCEO) 60 V
Voltaje colector‑base máximo (VCBO) 60 V
Voltaje emisor‑base máximo (VEBO) 5 V
Corriente continua de colector (IC) 16 A
Corriente pico de colector (ICM) 20 A
Ganancia DC (hFE mínima) ≈ 1000
Potencia disipada (PD) @ TC = 25 °C 150 W
Voltaje de saturación VCE(sat) ~2.5–4 V (depende de IC/IB)
Temperatura de operación −65 °C a +200 °C
Resistencia térmica RθJC ≈ 1.17 °C/W
Uso típico Etapas de salida, amplificadores de potencia, fuentes de alimentación, control de cargas pesadas

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