Parámetro Valor / Especificación
Número de parte MJL21196G
Tipo de transistor Bipolar (BJT), NPN
Encapsulado (Package) TO‑264‑3 (Flange Mount)
Polaridad NPN
Corriente máxima de colector (Ic) 16 A
Tensión colector‑emisor máxima (Vceo) 250 V
Tensión colector‑base máxima (Vcbo) ~400 V (según datasheet)
Tensión emisor‑base máxima (Vebo) ~5 V (según datasheet)
Ganancia de corriente DC mínima (hFE) 25 @ 8 A, 5 V
Corriente de corte del colector (Icbo) ~100 µA
Disipación máxima de potencia (Pd) 200 W
Frecuencia de transición (fT) 4 MHz
Temperatura de operación (Tj) −65 °C a +150 °C
Tipo de montaje Agujero pasante (Through‑Hole)
Número de pines 3
MSL / Cumplimiento RoHS MSL 1, RoHS conforme

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