| Tipo de dispositivo |
IGBT N‑Channel |
Transistor bipolar de puerta aislada para potencia |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑3P / TO‑3PN |
Montaje con disipador térmico |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
600 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) |
±20 |
V |
| Corriente continua de colector (IC) |
35 |
A |
| Corriente pulsada de colector |
~100 |
A (picos cortos permitidos) |
| Potencia máxima disipada |
~150 |
W (con disipador adecuado) |
| Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on)) |
~2.0–2.5 |
V (aproximado bajo condiciones típicas) |
| Temperatura máxima de unión (Tj) |
+150 |
°C |
| Temperatura de almacenamiento |
−55 … +150 |
°C |
| Tiempos de conmutación típicos |
Decenas a cientos de nanosegundos |
Encendido / apagado |
| Diodo antiparalelo integrado |
Sí (típico en IGBTs) |
Para cargas inductivas |
| Aplicaciones típicas |
Inversores, control de motores, UPS, fuentes conmutadas |
Electrónica de potencia |
