| Tipo de dispositivo |
IGBT con diodo integrado (Free-Wheeling Diode) |
Paquete moldeado |
| Voltaje colector-emisor máximo (VCES) |
600 |
V |
| Voltaje puerta-emisor máximo (VGES) |
±20 |
V |
| Corriente continua de colector (TC=25 °C) |
50 |
A |
| Corriente pulsada de colector (1 ms) |
≈ 328 |
A |
| Potencia disipada máxima (IGBT) |
≈ 310 |
W |
| Potencia disipada máxima (diodo) |
≈ 140 |
W |
| Temperatura de unión máxima (Tj) |
+150 |
°C |
| Temperatura de almacenamiento (Tstg) |
−40 a +150 |
°C |
| Voltaje de saturación C-E típico (VCE(sat)) |
~3.0 |
V @ VGE=15 V, Ic=50 A |
| Tiempos de conmutación típicos |
ton ≈ 0.16 µs / toff ≈ 0.30 µs |
Con condiciones de prueba típicas |
| Capacitancia d(Alldatasheet) |
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