Parámetro Símbolo Valor típico / máximo Unidad
Tipo de transistor NPN
Voltaje colector‑emisor máximo VCEO 40 V
Voltaje colector‑base máximo VCBO 60 V
Voltaje emisor‑base máximo VEBO 5 V
Corriente continua del colector IC ~600 mA – 1 A mA / A
Disipación máxima de potencia PD 625 mW
Ganancia de corriente DC (mín.) hFE ≥ 90 @ 100 mA, 1 V
Corriente de fuga de colector ICBO ~50 nA nA
Tensión de saturación VCE(sat) ~300 mV @ 10 mA, 100 mA V
Temperatura de operación TJ –55 °C a +150 °C °C
Encapsulado TO‑92 (TO‑226‑3)