Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tipo de dispositivo	—	MOSFET de potencia, canal N	—
Modo de operación	—	Enhancement (modo enriquecimiento)	—
Voltaje drenaje-fuente máximo	VDSS	500	V
Voltaje compuerta-fuente máximo	VGS	±20	V
Corriente continua de drenaje	ID	15	A
Corriente de pulso de drenaje	IDM	≈65	A
Resistencia drenaje-fuente ON	RDS(on)	≈0.16	Ω @ VGS=10 V
Voltaje umbral de compuerta	VGS(th)	2 – 4	V
Potencia disipada máxima	PD	≈200	W
Carga total de compuerta	Qg	≈90	nC
Tiempo de encendido	ton	≈30	ns
Tiempo de apagado	toff	≈20	ns
Temperatura de operación	TJ	−55 a +150	°C
Diodo interno	—	Sí (body diode)	—
Encapsulado	—	TO-3 / TO-204AE	—

MTM15N50 MOTOROLA