Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tipo de dispositivo	—	MOSFET de potencia, canal N	—
Modo de operación	—	Enhancement (modo enriquecimiento)	—
Voltaje drenaje-fuente máximo	VDSS	500	V
Voltaje compuerta-fuente máximo	VGS	±20	V
Corriente continua de drenaje	ID	7	A
Corriente pulsada de drenaje	IDM	40	A
Resistencia drenaje-fuente ON	RDS(on)	≈0.8	Ω
Voltaje umbral de compuerta	VGS(th)	2 – 4	V
Potencia disipada máxima	PD	≈150	W
Tiempo de encendido	ton	≈210	ns
Tiempo de apagado	toff	≈320	ns
Temperatura de operación	TJ	−55 a +150	°C
Diodo interno	—	Sí (body diode)	—
Encapsulado	—	TO-218 / TO-220 con aleta	—

MTH7N50 MOTOROLA