Parámetro Símbolo Valor típico / máximo Unidad
Tipo de dispositivo — MOSFET de potencia, canal N —
Modo de operación — Enhancement (modo enriquecimiento) —
Encapsulado típico — TO-220 —
Voltaje drenaje-fuente máximo VDSS 50 V (equivalente al RFP25N05L)
Voltaje compuerta-fuente máximo VGS ±20 V (típico para MOSFETs de esta clase)
Corriente continua de drenaje ID 25 A (equivalente típico)
Resistencia drenaje-fuente ON RDS(on) ≈0.047 Ω (valor típico de RFP25N05L equivalente)
Potencia disipada (TC=25 °C) PD ~100 W (según equivalente y paquete TO-220)
Voltaje umbral de compuerta VGS(th) ~2 – 4 V (típico en MOSFETs de este rango)
Corriente de pulso de drenaje IDM >60 A (estimado por familia del dispositivo)
Temperatura de operación / almacenamiento TJ / Tstg −55 a +150 °C
Diodo body integrado — Sí (recuperación rápida) —
Aplicaciones típicas — Conmutación de potencia, PSU, drivers, control de carga —

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