| Tipo de dispositivo |
Fototransistor NPN de silicio |
Detector óptico sensible a luz |
| Longitud de onda de sensibilidad |
~890 nm |
Detecta luz infrarroja cercana |
| Voltaje colector-emisor máximo (VCEO) |
30 V |
Límite de tensión soportada entre colector y emisor |
| Corriente continua del colector (IC max) |
50 mA |
Corriente máxima que puede manejar el fototransistor |
| Corriente de oscuridad (ID oscura) |
≤ 100 nA |
Corriente residual sin luz incidente |
| Potencia máxima disipada |
≈ 250 mW |
Potencia total que puede disipar el dispositivo |
| Encapsulado / Paquete |
TO-18 (metal can) |
Montaje a través de orificio |
| Número de pines |
3 pines |
Colector, base, emisor |
| Temperatura de operación |
−65 °C a +125 °C |
Rango seguro de temperatura ambiente |
| Sensibilidad espectral |
Infrarrojo |
Optimizado para uso con emisores IR |
| Ángulo de recepción |
Estrecho (narrow) |
Recibe luz desde una dirección definida |
| Aplicaciones típicas |
Sensores ópticos, detección de objetos, sistemas de control industrial |
Detección de luz infrarroja en instrumentos |
