| Parámetro | Valor típico / máximo | Descripción |
|---|---|---|
| Tipo de componente | Diodo emisor infrarrojo (IR LED) | Emite luz infrarroja para sensores |
| Material semiconductor | GaAlAs (Arseniuro de galio aluminio) | Emisor eficiente de IR |
| Longitud de onda de emisión | ≈ 890 nm | Región infrarroja cercana |
| Corriente directa continua máxima (IF) | 100 mA | Corriente máxima recomendada |
| Voltaje directo típico (VF) | ≈ 2 V | Caída de tensión típica al conducir |
| Ángulo de emisión | ≈ 18 ° | Ángulo de haz de luz emitida |
| Intensidad de radiación típica | Dependiente del modelo | Potencia de emisión de IR |
| Encapsulado / Paquete | TO-46 metálico con lente domo | Montaje a través de placa |
| Número de pines | 2 pines | Ánodo y cátodo |
| Temperatura de operación (TA) | −65 °C a +125 °C | Rango seguro de uso |
| Aplicaciones típicas | Sensores infrarrojos, detección por reflexión, automatización, seguridad | Detección óptica con IR |
