Parámetro Valor / Descripción
Tipo de dispositivo MOSFET de potencia N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente (VDSS) 150 V (mínimo)
Corriente continua del drenador (ID) 15 A
Resistencia ON RDS(on) ≈ 0.150 Ω (máx)
Voltaje compuerta‑fuente máximo (VGS(max)) ±20 V (típico)
Disipación de potencia (PD) ~75 W (TC)
Temperatura de operación (Tj) –55 °C a +150 °C
Encapsulado TO‑220AB / TO‑220 (estándar)
Aplicaciones típicas Reguladores conmutados, convertidores DC‑DC, drivers de motor, drivers de relé (

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