| Tipo de dispositivo |
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), “Ultra‑Fast / Short‑Circuit Rated” |
| Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES) |
600 V |
| Corriente continua máxima de colector (I_C) |
28 A |
| Corriente pulsada máxima de colector (I_CM, impulso) |
58 A |
| Potencia máxima disipada (Pd) |
100 W (case a 25 °C) |
| Carga de puerta (Gate Charge, Q_G) |
100 nC (aproximadamente) |
| Voltaje gate‑emisor permitido (V_GE) |
± 20 V |
| Rango de temperatura de operación / almacenamiento (T_J / T_STG) |
–55 °C … +150 °C |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑220 (TO‑220‑3) / Through‑hole |
| Voltaje saturación V_CE(on) máximo (condiciones típicas) |
~ 2.7 V @ V_GE = 15 V, I_C = 16 A |
| Tiempos de conmutación típicos (turn‑on / turn‑off) |
~ 26 ns / ~ 130 ns (según condiciones de test) |
| Tiempo mínimo soportado de cortocircuito (short‑circuit withstand) |
10 µs (cuando V_CE start ~ 360 V, V_GE = 15 V) — típico en esta familia IGBT |
