Parámetro Valor / Descripción
Tipo de dispositivo MOSFET de potencia P‑Channel
Voltaje drenador‑fuente (VDSS) 250 V
Corriente continua de drenador (ID) –3.4 A (TC = 25 °C)
Corriente continua (ID a 100 °C) ≈ –2.6 A
Resistencia ON (RDS(on)) ≈ 1.3 Ω (1.7 A, VGS = –10 V)
Umbral de compuerta (VGS(th)) ≈ –4 V
Voltaje máximo compuerta‑fuente (VGS(max)) ±30 V
Carga de compuerta (Qg) ≈ 37 nC (VGS = 10 V)
Capacitancia de entrada (Ciss) ~975 pF
Potencia de disipación (PD) ~33 W (TC)
Temperatura de operación –55 °C a +150 °C
Encapsulado TO‑220F (through‑hole)
Polaridad del canal P‑Channel

PRODUCTOS RELACIONADOS