Parámetro	Valor típico / máximo	Descripción
Tipo de dispositivo	Fototransistor NPN	Dispositivo sensible a luz infrarroja para detección de señal
Corriente máxima del colector (IC)	50 mA	Corriente máxima que puede circular por el colector
Voltaje colector‑emisor (VCE)	30 V	Máxima tensión colector‑emisor permitida
Voltaje colector‑emisor saturación (VCE(sat))	0.4 V típ.	Tensión en saturación cuando el fototransistor conduce
Fotocorriente máxima (IPH)	0.5 mA (dependiendo de iluminación)	Corriente generada por la luz incidente
Tiempo de respuesta	ton ≈ 2–3 µs, toff ≈ 3–4 µs	Velocidad de conmutación del fototransistor
Rango de longitud de onda sensible	900 nm ± 50 nm	Espectro de luz infrarroja detectado
Encapsulado / Paquete	TO‑18	Montaje a través de placa de circuito impreso
Rango de temperatura de operación	−55 °C a +100 °C	Temperatura de operación segura
Aplicaciones típicas	Sensores de proximidad, acoplamiento de señal óptica, sistemas de control remoto	Uso en sistemas de detección y comunicación óptica

SFH400 OSRAM