Parámetro Valor típico / máximo Descripción
Tipo de dispositivo Fototransistor NPN Sensor óptico sensible a luz infrarroja
Longitud de onda pico ≈ 940 nm Máxima sensibilidad en infrarrojo
Tensión colector-emisor (VCEO) 30 V Máxima tensión entre colector y emisor
Tensión emisor-colector (VECO) 5 V Máxima tensión en sentido inverso
Corriente del colector (IC) ≈ 20 mA a 30 mA (máx. 50 mA) Corriente máxima de salida
Corriente oscura (sin luz) ≤ 100 nA Corriente residual sin iluminación
Potencia disipada ≈ 100 mW Potencia máxima admisible
Ángulo de visión ≈ 20° Ancho del haz óptico detectable
Tiempo de respuesta ≈ 10–15 µs Velocidad de respuesta óptica
Encapsulado T-1 (3 mm LED-like) Montaje through-hole con cápsula transparente
Polaridad / Pines Colector largo, emisor corto Configuración estándar tipo LED
Temperatura de operación −40 °C a +85 °C Rango operativo
Aplicaciones Sensores IR, barreras ópticas, detección de objetos, proximidad Detección de luz infrarroja