| Tipo de dispositivo |
Diodo emisor infrarrojo (IR Emitter) |
Emisor óptico de infrarrojo |
| Material semiconductor |
GaAs (Arseniuro de galio) |
Eficiente para emisión IR |
| Longitud de onda de salida |
≈ 935 nm |
Región infrarroja cercana |
| Voltaje directo típico (Vf) |
≈ 1.7 V |
Caída de tensión cuando está encendido |
| Corriente directa continua (If) |
100 mA |
Corriente máxima recomendada |
| Corriente directa pulsada máxima |
100 mA |
También apto para pulsos |
| Potencia óptica de salida mínima |
≈ 4.8 mW |
Potencia de emisión IR |
| Ángulo de haz (Beam Angle) |
≈ 20° |
Ancho del haz de luz emitida |
| Voltaje de ruptura inverso |
≈ 3 V |
Máxima tensión en polarización inversa |
| Tiempo de subida / bajada (rise/fall) |
≈ 0.7 µs |
Velocidad de respuesta |
| Disipación de potencia |
≈ 150 mW |
Potencia máxima total |
| Encapsulado / Paquete |
TO-46 (metal can) |
Montaje Through-Hole / lata metálica |
| Número de pines |
2 pines |
Ánodo y cátodo |
| Temperatura de operación |
−55 °C a +125 °C |
Rango seguro de temperatura |
| Polaridad de emisión |
Infrarroja (no visible) |
Uso óptico para sensores |
