Parámetro Valor típico / máximo Descripción
Tipo de dispositivo Diodo emisor infrarrojo (IR Emitter) Emisor óptico de infrarrojo
Material semiconductor GaAs (Arseniuro de galio) Eficiente para emisión IR
Longitud de onda de salida ≈ 935 nm Región infrarroja cercana
Voltaje directo típico (Vf) ≈ 1.7 V Caída de tensión cuando está encendido
Corriente directa continua (If) 100 mA Corriente máxima recomendada
Corriente directa pulsada máxima 100 mA También apto para pulsos
Potencia óptica de salida mínima ≈ 4.8 mW Potencia de emisión IR
Ángulo de haz (Beam Angle) ≈ 20° Ancho del haz de luz emitida
Voltaje de ruptura inverso ≈ 3 V Máxima tensión en polarización inversa
Tiempo de subida / bajada (rise/fall) ≈ 0.7 µs Velocidad de respuesta
Disipación de potencia ≈ 150 mW Potencia máxima total
Encapsulado / Paquete TO-46 (metal can) Montaje Through-Hole / lata metálica
Número de pines 2 pines Ánodo y cátodo
Temperatura de operación −55 °C a +125 °C Rango seguro de temperatura
Polaridad de emisión Infrarroja (no visible) Uso óptico para sensores