Parámetro	Especificación
Tipo de dispositivo	IGBT N‑canal, NPT con diodo antiparalelo “EmCon”
Tensión colector‑emisor máxima (V_CES)	600 V
Corriente continua de colector (I_C)	6 A (según hoja de datos)
Tensión de saturación colector-emisor (V_CE(sat))	~2.3 V (a V_GE = 15 V)
Tiempo de cortocircuito soportado	10 µs
Tecnología de IGBT	NPT (Neutral Punch‑Through)
Temperatura de unión (T_J)	–55 °C a +150 °C
Potencia máxima disipada (P_D)	~68 W (modo de operación)
Energía de conmutación E_off	~215 µJ (valor típico alternando)
Carga de gate (“Gate Charge”)	~32 nC
Tiempo de recuperación inversa del diodo (t_rr)	~200 ns
Voltaje máximo puerta‑emisor (V_GE)	±20 V
Encapsulado	TO‑220AB y TO‑263 (D²PAK)
Aplicaciones típicas	Control de motores, inversores, conmutación de potencia

SKB06N60 INFINEON