STP9NB50 ST-M
| TRANSISTOR MOSFET CH-N STP9NB50 8.6A 500V TO-220-3 MARCA ST-M |
Número de Parte: STP9NB50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ – Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ – Voltaje máximo drenador – fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ – Voltaje máximo fuente – puerta: 30 V
|Id|ⓘ – Corriente continua de drenaje: 8.6 A
Tjⓘ – Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ – Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
Qgⓘ – Carga de la puerta: 45 nC
trⓘ – Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ – Capacitancia de salida: 175 pF
Rds(on)ⓘ – Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
PRODUCTOS RELACIONADOS
