Parámetro / Característica	Valor / Especificación
Tipo de dispositivo	IGBT + diodo de recuperación rápida interna (UltraFast Soft‑Recovery)
Paquete / Encapsulado	TO‑220AB (TO‑220‑3)
Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES)	600 V
Corriente continua de colector (I_C) a T_C = 25 °C	16 A
Corriente continua de colector a T_C = 100 °C	9 A
Corriente pulsada de colector / carga inductiva	64 A
Potencia máxima disipada, T_C = 25 °C	60 W
Potencia máxima disipada, T_C = 100 °C	24 W
Voltaje gate‑emisor permitido (V_GE)	± 20 V
Rango de temperatura de operación / almacenamiento	–55 °C … +150 °C
Voltaje saturación típico V_CE(on) @ V_GE = 15 V, I_C = 9 A	1.66 V
Voltaje saturación máximo V_CE(on)	2.0 V
Carga de puerta (Gate Charge, Q_G)	27 nC
Tiempos de conmutación (encendido / apagado)	43 ns / 240 ns
Energía de conmutación	E_on ≈ 250 µJ, E_off ≈ 640 µJ
Tiempo de recuperación inversa del diodo (t_rr)	37 ns
Frecuencia recomendada de operación	1–5 kHz en “hard switching”; >20 kHz en modo resonante

IRG4BC20FD I&R