| Tipo de dispositivo |
IGBT + diodo de recuperación rápida interna (UltraFast Soft‑Recovery) |
| Paquete / Encapsulado |
TO‑220AB (TO‑220‑3) |
| Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES) |
600 V |
| Corriente continua de colector (I_C) a T_C = 25 °C |
16 A |
| Corriente continua de colector a T_C = 100 °C |
9 A |
| Corriente pulsada de colector / carga inductiva |
64 A |
| Potencia máxima disipada, T_C = 25 °C |
60 W |
| Potencia máxima disipada, T_C = 100 °C |
24 W |
| Voltaje gate‑emisor permitido (V_GE) |
± 20 V |
| Rango de temperatura de operación / almacenamiento |
–55 °C … +150 °C |
| Voltaje saturación típico V_CE(on) @ V_GE = 15 V, I_C = 9 A |
1.66 V |
| Voltaje saturación máximo V_CE(on) |
2.0 V |
| Carga de puerta (Gate Charge, Q_G) |
27 nC |
| Tiempos de conmutación (encendido / apagado) |
43 ns / 240 ns |
| Energía de conmutación |
E_on ≈ 250 µJ, E_off ≈ 640 µJ |
| Tiempo de recuperación inversa del diodo (t_rr) |
37 ns |
| Frecuencia recomendada de operación |
1–5 kHz en “hard switching”; >20 kHz en modo resonante |
