Parámetro / Característica	Valor / Especificación
Tipo de dispositivo	IGBT “UltraFast” (Generation 4)
Encapsulado / Paquete	TO‑220AB (through‑hole)
Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES)	600 V
Corriente continua máxima de colector (Ic @ T_C = 25 °C)	40 A
Corriente continua de colector a T_C = 100 °C	20 A
Corriente pulsada / pico de colector (Icm / ILM)	160 A
Voltaje gate‑emisor permitido (V_GE)	± 20 V
Potencia máxima disipada (P_D) @ T_C = 25 °C	160 W
Potencia disipada máxima @ T_C = 100 °C	65 W
Resistencia térmica juntura‑a‑case (RθJC)	máx. 0.77 °C/W
Resistencia térmica case‑a‑sink (RθCS) (superficie plana + pasta térmica)	0.50 °C/W
Resistencia térmica juntura‑a‑ambiente (RθJA) — montaje típico sin disipador	~ 80 °C/W
Carga de puerta (Gate Charge, Q_G total)	~ 100 nC
Tiempos de conmutación (a 25 °C)	Turn‑on delay ~ 34 ns, Rise ~ 19 ns; Turn‑off delay ~ 110 ns, Fall ~ 120 ns
Energías de conmutación (condición típica)	E_on ≈ 0.32 mJ, E_off ≈ 0.35 mJ
Caída típica V_CE(on) (conducido)	~ 1.72 V @ V_GE = 15 V, Ic = 20 A
Rango de temperatura de operación / almacenamiento (T_J / T_STG)	–55 °C … +150 °C

IRG4BC40U I&R