| Tipo de dispositivo |
IGBT “UltraFast” (Generation 4) |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑220AB (through‑hole) |
| Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES) |
600 V |
| Corriente continua máxima de colector (Ic @ T_C = 25 °C) |
40 A |
| Corriente continua de colector a T_C = 100 °C |
20 A |
| Corriente pulsada / pico de colector (Icm / ILM) |
160 A |
| Voltaje gate‑emisor permitido (V_GE) |
± 20 V |
| Potencia máxima disipada (P_D) @ T_C = 25 °C |
160 W |
| Potencia disipada máxima @ T_C = 100 °C |
65 W |
| Resistencia térmica juntura‑a‑case (RθJC) |
máx. 0.77 °C/W |
| Resistencia térmica case‑a‑sink (RθCS) (superficie plana + pasta térmica) |
0.50 °C/W |
| Resistencia térmica juntura‑a‑ambiente (RθJA) — montaje típico sin disipador |
~ 80 °C/W |
| Carga de puerta (Gate Charge, Q_G total) |
~ 100 nC |
| Tiempos de conmutación (a 25 °C) |
Turn‑on delay ~ 34 ns, Rise ~ 19 ns; Turn‑off delay ~ 110 ns, Fall ~ 120 ns |
| Energías de conmutación (condición típica) |
E_on ≈ 0.32 mJ, E_off ≈ 0.35 mJ |
| Caída típica V_CE(on) (conducido) |
~ 1.72 V @ V_GE = 15 V, Ic = 20 A |
| Rango de temperatura de operación / almacenamiento (T_J / T_STG) |
–55 °C … +150 °C |
