STP9NK90Z ST-M
TRANSISTOR MOSFET CH-N STP9NK90Z 8A 900V TO-220-3 MARCA ST-M
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Tipo HECHO
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Tecnología
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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900 V
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Corriente – consumo continuo (Id) a 25ºC
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Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
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10 V
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Rds On (máx) @ Id, Vgs
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1,3 ohmios a 3,6 A, 10 V
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Vgs(th) (máx.) en Id
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4,5 V a 100 µA
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Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
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72 nC a 10 V
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Vgs (máx.)
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±30 V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
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2115 pF a 25 V
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Característica de FET
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–
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Disipación de potencia (Máx.)
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160 W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55 °C ~ 150 °C (TJ)
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