| Tipo de dispositivo |
IGBT con diodo de recuperación rápida interna |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑220AB (TO‑220-3) |
| Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES) |
600 V |
| Corriente máxima de colector (Ic) a 25 °C |
13 A |
| Corriente continua de colector a 100 °C |
6.5 A |
| Corriente pulsada de colector (Icm) |
52 A |
| Corriente continua del diodo a 100 °C |
7 A |
| Corriente máxima forward del diodo (IFM) |
52 A |
| Disipación máxima de potencia a 25 °C |
60 W |
| Disipación máxima de potencia a 100 °C |
24 W |
| Rango de temperatura de operación / almacenamiento |
-55 °C … +150 °C |
| Voltaje gate‑emisor permitido (V_GE) |
± 20 V |
| Voltaje saturación típico V_CE(on) @ V_GE=15 V, I_C=6.5 A |
1.85 V |
| Voltaje saturación máximo V_CE(on) |
2.1 V |
| Carga de puerta (Gate Charge) Q_G |
27 nC |
| Tiempo de encendido / apagado (t_d(on) / t_d(off)) |
39 ns / 93 ns |
| Tiempo de recuperación inversa del diodo (t_rr) |
37 ns |
| Energía de conmutación (Switching Energy) |
160 µJ (on) / 130 µJ (off) |
| Frecuencia óptima de operación |
8–40 kHz en conmutación dura, >200 kHz en modo resonante |
