Parámetro	Valor típico / máximo	Unidad / Comentario
Tipo de dispositivo	IGBT N‑Channel	Transistor bipolar de puerta aislada
Encapsulado / Paquete	TO‑3PN / TO‑3P (montaje con disipador)	—
Voltaje colector‑emisor máximo (VCES)	1200	V
Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES)	±20	V
Corriente continua de colector (IC)	~30–40	A (dependiendo de la temperatura y disipación)
Potencia máxima disipada	~150–250	W (con disipador adecuado)
Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on))	~3–4	V (aproximado bajo condiciones típicas)
Temperatura máxima de unión (Tj)	+150	°C
Temperatura de almacenamiento	–55 … +150	°C
Diodo antiparalelo interno	Sí (general en IGBTs de potencia)	Permite conducción en cargas inductivas
Tiempos de conmutación típicos	Decenas a cientos de nanosegundos	Encendido / apagado
Aplicaciones típicas	Inversores, control de motores, UPS, SMPS	Electrónica de potencia

GT30J124 TOSHIBA