MTP20N15E ON
TRANSISTOR MOSFET CH-N MTP20N15E 20A 150V TO-220-3 MARCA ON
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|
| Tipo de dispositivo | — | MOSFET de potencia, canal N | — |
| Modo de operación | — | Enhancement (modo enriquecimiento) | — |
| Voltaje drenaje‑fuente máximo | VDSS | 150 | V |
| Voltaje compuerta‑fuente máximo | VGS | ±20 | V |
| Corriente continua de drenaje | ID | 20 | A |
| Corriente de pulso de drenaje | IDM | ≥ 80 | A (pulsada) |
| Resistencia drenaje‑fuente en conducción | RDS(on) | 0.085 | Ω (máx., típico ~0.06 Ω) |
| Voltaje umbral de compuerta | VGS(th) | 2 a 4 | V |
| Potencia disipada total (Tc = 25 °C) | PD | 125 | W |
| Temperatura de unión | Tj | −55 a +175 | °C |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | −55 a +175 | °C |
| Capacitancia de entrada (aprox.) | Ciss | 1800 | pF |
| Carga total de compuerta (aprox.) | Qg | 40 | nC |
| Encapsulado | — | TO‑220 | — |
| Diodo interno | — | Sí (rápida recuperación) | — |
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