| Tipo de dispositivo |
IGBT con diodo integrado |
Transistor de potencia con diodo de rueda libre |
| Voltaje colector‑emisor (VCES) |
1000 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor (VGES) |
±20 |
V |
| Corriente continua de colector (IC) |
60 |
A |
| Corriente de colector en caso térmico (aprox.) |
~40–50 |
A (depende del enfriamiento) |
| Corriente pulsada (1 ms) |
~150 |
A (aprox.) |
| Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on)) |
~3.2 |
V @ IC nominal |
| Potencia máxima disipada (IGBT) |
~260 |
W |
| Potencia máxima disipada (diodo) |
~120 |
W |
| Temperatura de operación (Tj) |
−40 a +150 |
°C |
| Temperatura de almacenamiento (Tstg) |
−40 a +150 |
°C |
| Encapsulado / Paquete |
Molded package / TO‑247 |
Montaje con disipador térmico |
| Aplicaciones típicas |
Conmutación de potencia |
Inversores, fuentes, control de motores |
