| Tipo de dispositivo |
Transistor IGBT N‑Channel con diodo antiparalelo |
Potencia / conmutación |
| Encapsulado |
TO‑247 |
3 pines |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
650 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) |
±20 |
V |
| Corriente continua de colector (IC) |
60 A @ TC=100 °C |
Derating por temperatura |
| Corriente continua de colector |
~100 A @ TC=25 °C |
Condición ideal |
| Corriente pulsada de colector |
~180 A |
Pulsos cortos |
| Disipación de potencia (máx.) |
~420 W @ TC=25 °C |
Depende de disipación térmica |
| Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(sat)) |
1.85 |
V @ IC=60 A |
| Voltaje directo de diodo antiparalelo |
~1.45 |
V típico |
| Temperatura de unión máxima (Tj) |
175 |
°C |
| Tiempo de recuperación inversa del diodo (trr) |
~110 |
ns típico |
| Capacidad de entrada (Cies) |
~2300 |
pF típico |
| Energía de conmutación apagado (Eoff) |
~0.53 |
mJ típico |
| Umbral de puerta (VGE(th)) |
~4–6 |
V típico |
| Aplicaciones típicas |
UPS, inversores, PFC, SMPS, soldadoras, IH cookers |
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