| Tipo de dispositivo |
IGBT N-Channel (SMPS II / Low Gate Charge) |
| Tecnología |
IGBT de alta velocidad, baja carga de puerta |
| Voltaje colector-emisor VCES |
600 V |
| Corriente del colector IC (continua) |
75 A |
| Corriente de pico IC (pulsada) |
~240 A |
| Potencia máxima disipada Pd |
~463 W |
| VCE(on) típico |
~2.7 V @ 15 V, 30 A |
| Carga de puerta Qg |
~70 nC |
| Tiempo de encendido (td(on)) |
~13 ns |
| Tiempo de apagado (td(off)) |
~55 ns |
| Temperatura de operación TJ |
−55 °C a +150 °C |
| Encapsulado |
TO-247-3 |
| Estado del producto |
Obsoleto (descontinuado) |
| Aplicaciones típicas |
SMPS, PFC, inversores, UPS, control de motores |
