| Tipo de dispositivo |
IGBT N‑canal (FS Trench) con diodo antiparalelo |
| Tensión colector‑emisor (V_CES) |
650 V |
| Tensión puerta‑emisor máxima (V_GE) |
±20 V (±30 V para pulsos cortos) |
| Corriente de colector continua (I_C, T_C = 25 °C) |
80 A |
| Corriente de colector continua (I_C, T_C = 100 °C) |
40 A |
| Corriente de colector en pulso (I_CM) |
120 A |
| Corriente continua del diodo (I_F, T_C = 100 °C) |
20 A |
| Corriente máxima del diodo (I_FM) |
100 A |
| Potencia disipada (P_D, T_C = 25 °C) |
280 W |
| Potencia disipada (P_D, T_C = 100 °C) |
110 W |
| Temperatura de unión (T_J) |
–40 °C a +150 °C |
| Temperatura de almacenamiento (T_STG) |
–55 °C a +150 °C |
| Resistencia térmica unión‑caso (RθJC) IGBT |
0.446 °C/W |
| Resistencia térmica unión‑caso (RθJC) Diodo |
1.25 °C/W |
| Resistencia térmica unión‑ambiente (RθJA) |
40 °C/W |
| Voltaje de saturación (V_CE(sat)) |
1.9 V (IC = 40 A, VGE = 15 V) |
| Voltaje umbral de puerta (V_GE(th)) |
3.5 – 7 V |
| Capacitancias |
C_ies ≈ 3453 pF, C_oes ≈ 141 pF, C_res ≈ 76 pF |
| Tiempos de conmutación |
td(on) ≈ 56 ns, tr ≈ 62 ns, td(off) ≈ 178 ns, tf ≈ 48 ns |
| Energía de conmutación |
Eon ≈ 2.1 mJ, Eoff ≈ 0.8 mJ, Ets ≈ 2.9 mJ |
| Carga de puerta (Q_G) |
239 nC |
| Carga Gate‑Emisor (Q_ge) |
30 nC |
| Carga Gate‑Colector (Q_gc) |
147 nC |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑3PN |
| Aplicaciones típicas |
Soldadura, inversores, UPS, convertidores de frecuencia |
