| Tipo de dispositivo |
IGBT – Field Stop (campo detenido) |
| Tensión colector‑emisor (VCES) |
600 V máxima |
| Corriente de colector (IC) |
120 A @ TC = 25 °C; 60 A @ TC = 100 °C |
| Corriente pulsada (ICM) |
180 A |
| Tensión de saturación VCE(on) |
~1.9 V típico @ VGE=15 V, IC=60 A |
| Power dissipation (Pd) |
600 W @ TC = 25 °C; 300 W @ TC = 100 °C |
| Tiempo de conmutación típico |
t(on) ~18 ns, t(off) ~104 ns (según condición de prueba) |
| Energía de conmutación |
E(on) ~1.26 mJ, E(off) ~450 µJ (test típico) |
| Carga de puerta (Qg) |
~187–189 nC |
| Reverse recovery time (trr) |
~39–72 ns típico |
| Temperatura de operación (TJ) |
−55 °C a +175 °C |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑247‑3 (Through‑Hole) |
| Diode integrado |
Sí (free‑wheeling integrado) |
| Cumplimiento ambiental |
Pb‑Free / RoHS compliant |
