| Tipo de dispositivo |
IGBT NPT (Non‑Punch Through) |
| Tensión colector‑emisor (VCES) |
1200 V |
| Tensión puerta‑emisor (VGES) |
±25 V |
| Corriente del colector (Ic) |
64 A @ TC = 25 °C / 40 A @ TC = 100 °C |
| Corriente pulsada (Icm) |
160 A |
| Corriente continua del diodo (IF) |
40 A @ TC = 100 °C |
| Corriente máxima del diodo (IFM) |
240 A |
| Potencia máxima disipada (Pd) |
500 W @ TC = 25 °C / 200 W @ TC = 100 °C |
| VCE(sat) típico |
~2.6 V @ IC = 40 A |
| Resistencia térmica (θJC) |
≤0.25 °C/W (IGBT) |
| Temperatura operación (TJ) |
−55 °C a +150 °C |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑264‑3 / Through‑Hole |
| Características de conmutación |
td(on) ~15 ns / td(off) ~110 ns; trr ≈75‑112 ns |
| Energía de conmutación |
~2.3 mJ (on), ~1.1 mJ (off) |
| Estado del producto |
Obsoleto / discontinue |
