| Tipo de dispositivo |
IGBT N‑Channel (NPT/Trench) |
Transistor bipolar de puerta aislada |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
1200 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) |
±20 |
V |
| Corriente continua de colector (IC) |
50 |
A |
| Corriente pulsada de colector (ICM) |
90 |
A (picos cortos) |
| Potencia máxima disipada |
312 |
W |
| Voltaje de saturación C‑E típico VCE(on) |
~2.65 |
V @ VGE=15 V, IC=50 A |
| Energía de conmutación (on/off) |
~4.1 / ~0.96 |
mJ (energía típica de encendido y apagado) |
| Carga total de puerta (Qg) |
~200 |
nC |
| Tiempos de conmutación (Td on/off) |
~50 ns / ~190 ns |
Encendido / apagado típicos |
| Tiempo de recuperación inversa del diodo (trr) |
~350 |
ns |
| Temperatura de operación (Tj) |
−55 a +150 |
°C |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑3P (TO‑3P‑3 / SC‑65‑3) |
Montaje a través de orificio |
