| Tipo de dispositivo |
IGBT N‑Channel |
Transistor bipolar de puerta aislada para potencia |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑3P / TO‑3PN |
Montaje con disipador térmico |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
600 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) |
±20 |
V |
| Corriente continua de colector (IC) |
50 |
A (a temperatura y disipación adecuadas) |
| Corriente pulsada de colector |
~100–120 |
A (picos cortos permitidos) |
| Potencia máxima disipada (PD) |
~200–250 |
W (a TC=25 °C con disipador) |
| Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on)) |
~1.5–2.5 |
V @ VGE=15 V, corriente moderada |
| Carga total de puerta (Qg) |
~150–200 |
nC (valor típico) |
| Tiempos de conmutación típicos |
decenas a cientos de ns |
Encendido / apagado |
| Temperatura de unión operativa (Tj) |
–55 … +150 |
°C |
| Temperatura de almacenamiento |
–55 … +150 |
°C |
| Diodo antiparalelo integrado |
Sí |
Facilita cargas inductivas |
| Aplicaciones típicas |
Inversores, control de motores, UPS, fuentes conmutadas |
Electrónica de potencia |
