GT50J102 TOSHIBA
| IGBT GT50J102 TO-3P 50A 600V MARCA TOSHIBA |
| Parámetro | Valor típico / máximo | Unidad / Comentario |
|---|---|---|
| Tipo de dispositivo | IGBT N‑Channel | Transistor bipolar de puerta aislada para potencia |
| Encapsulado / Paquete | TO‑3P / TO‑3PN | Para montaje con disipador térmico |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) | 1000 | V — alta tensión de bloqueo |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) | ±20 | V — límite de puerta |
| Corriente continua de colector (IC) | 50 | A (a temperatura y disipación adecuadas) |
| Corriente pulsada de colector (ICM) | ~100–120 | A (picos cortos permitidos) |
| Potencia máxima disipada (PD) | ~200–250 | W (a TC=25 °C con disipador) |
| Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on)) | ~2.5–3.5 | V @ VGE=15 V, corriente moderada |
| Carga total de compuerta (Qg) | ~150–250 | nC (valor estimado típico) |
| Tiempos de conmutación | Decenas a cientos de ns | Encendido / apagado (típico para IGBTs discretos) |
| Temperatura de unión operativa (Tj) | –55 … +150 | °C |
| Temperatura de almacenamiento (Tstg) | –55 … +150 | °C |
| Diodo antiparalelo integrado | Sí | Permite conducción inversa en cargas inductivas |
| Aplicaciones típicas | Control de motores, inversores, UPS, fuentes conmutadas | Electrónica de potencia industrial |
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