| Tipo de componente |
IGBT N‑Channel con diodo antiparalelo integrado |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
600 V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGE) |
± 20 V |
| Corriente continua de colector (IC) |
80 A |
| Corriente de colector en pulso / pico (ICP, 1 ms) |
160 A |
| Potencia máxima de disipación (PD, case = 25 °C) |
200 W |
| Caída colector‑emisor en saturación (VCE(sat), típico) |
2.5–3.0 V |
| Temperatura máxima de unión (Tj) |
150 °C |
| Paquete / encapsulado |
TO‑3PL (montaje con tornillos / disipador) |
| Velocidad de conmutación / tiempo de apagado (tf) |
≈ 0.40 µs @ IC=80 A |
| Aplicaciones típicas |
Conmutación de potencia, control de motores, inversores, fuentes, UPS, cargas de potencia media/alta |
