Parámetro / característica Valor / detalle
Tipo / Serie IGBT canal N, serie SMPS / switching de potencia
Encapsulado / Package TO‑247‑3 (montaje “through‑hole”, 3 pines + tab metálico)
Voltaje colector‑emisor máximo (V_CE max) 600 V
Corriente continua máxima del colector (I_C) 75 A
Corriente de colector en pulso (I_CM) 240 A (pico / impulso)
Potencia máxima de disipación (P_D, case, condiciones nominales) 463 W
Caída colector‑emisor en conducción (V_CE(on), típico) ~ 1.8 V (en condiciones típicas)
Caída colector‑emisor en conducción (V_CE(on), máx aprox.) ~ 2.6 V (en ciertas condiciones: gate‑emisor 15 V, 30 A)
Gate‑Emitter voltaje máximo (V_GE) ± 20 V (valor típico para gate‑emitter máximo)
Tiempos típicos de conmutación (fall time) ~ 60 ns (con T_J ≈ 125 °C)
Carga de puerta (gate charge, Q_g) ~ 225 nC
Rango de temperatura de operación (junción) –55 °C … +150 °C
Diodo antiparalelo interno Sí — “hyperfast diode” integrado (permitiendo cargas inductivas / conmutación bidireccional)
Aplicaciones típicas Fuentes conmutadas, drivers de potencia, inversores, sistemas de switching de media/alta potencia, electrónica de potencia en general