| Tipo de dispositivo |
IGBT, canal N, tecnología NPT (Non‑Punch Through) |
| Tensión colector‑emisor máxima (V_CE) |
1200 V |
| Corriente continua de colector (I_C) @ 25 °C |
35 A |
| Corriente de colector pulsada (I_CM) |
~ 80 A (pico o pulsada) |
| Potencia máxima disipada (P_D) |
≈ 298 W (condiciones TC = 25 °C) |
| V_CE(on) típico / máximo (saturación) |
~ 2.7 V @ V_GE = 15 V, I_C = 10 A |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (V_GE) |
± 20 V |
| Rango de temperatura de unión (T_J) |
–55 °C a +150 °C |
| Paquete / Encapsulado |
TO‑220-3 (montaje Through‑Hole) |
| Tipo de IGBT |
N‑channel, NPT, con baja pérdida de conducción, avalancha‑calificado, con buen “switching SOA” para alta tensión. |
| Aplicaciones típicas |
Conmutación de potencia en alta tensión — inversores, control de motores, fuentes de alimentación, drivers de cargas inductivas, etc. |
