| Tipo de dispositivo |
IGBT con diodo antiparalelo integrado (“UltraFast Co‑Pack IGBT”) |
| Paquete / Encapsulado |
TO‑220AB (TO‑220‑3) |
| Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES) |
600 V |
| Corriente continua de colector a T_C = 25 °C (I_C) |
9 A |
| Corriente continua de colector a T_C = 100 °C |
5 A |
| Corriente pulsada / carga inductiva (I_CM / I_LM) |
18 A |
| Corriente continua del diodo antiparalelo (IF @ T_C = 100°C) |
4 A |
| Corriente máxima forward del diodo (IFM) |
16 A |
| Potencia máxima disipada @ T_C = 25 °C |
38 W |
| Potencia máxima disipada @ T_C = 100 °C |
15 W |
| Voltaje gate‑emisor permitido (V_GE) |
± 20 V |
| Rango de temperatura unión / almacenamiento (T_J / T_STG) |
–55 °C … +150 °C |
| Voltaje saturación colector‑emisor típico V_CE(on) @ V_GE = 15 V, I_C ≈ 5 A |
2.39 V |
| Resistencia térmica juntura‑a‑case (RθJC) |
3.3 °C/W |
| Resistencia térmica case‑a‑sink (RθCS) |
0.50 °C/W |
| Resistencia térmica juntura‑a‑ambiente (RθJA) — montaje típico |
~ 80 °C/W |
| Resistencia de cortocircuito sopo |
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