Parámetro / Característica	Valor / Especificación
Tipo de dispositivo	IGBT con diodo de recuperación rápida (co‑empaquetado)
Paquete / Encapsulado	TO‑220AB (TO‑220‑3)
Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES)	600 V
Corriente continua de colector a T_C = 25 °C (I_C)	9 A
Corriente continua de colector a T_C = 100 °C	5 A
Corriente pulsada / carga inductiva (I_CM / I_LM)	18 A
Corriente continua del diodo antiparalelo (IF @ T_C = 100°C)	4 A
Corriente máxima forward del diodo (IFM)	16 A
Potencia máxima disipada @ T_C = 25 °C	38 W
Potencia máxima disipada @ T_C = 100 °C	15 W
Voltaje gate‑emisor permitido (V_GE)	± 20 V
Rango de temperatura unión / almacenamiento (T_J / T_STG)	–55 °C … +150 °C
Voltaje saturación colector‑emisor típico (V_CE(on) @ V_GE = 15 V, I_C = 5 A)	2.39 V
Resistencia térmica juntura‑a‑case (RθJC)	3.3 °C/W
Resistencia térmica case‑a‑sink (RθCS)	0.50 °C/W
Resistencia térmica juntura‑a‑ambiente (RθJA) — montaje típico	~80 °C/W
Resistencia de cortocircuito soportada (tsc)	10 µs @ 360 V V_CE, T_J = 125 °C, V_GE = 15 V

IRG4BC10KD I&R