Parámetro	Valor típico / máximo	Unidad / Comentario
Tipo de dispositivo	IGBT N‑Channel Field Stop	Transistor bipolar de puerta aislada
Voltaje colector‑emisor máximo (VCES)	650	V
Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES)	±20	V
Corriente continua de colector (IC)	120	A
Corriente pulsada de colector (ICM)	180	A (picos cortos)
Disipación de potencia máxima (PD)	600	W
Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on))	~2.5 V @ VGE=15 V, 60 A	V
Carga de puerta (Qg)	~189	nC
Tiempos de conmutación típicos	~18 ns (encendido) / ~104 ns (apagado)	ns
Energía de conmutación típica	~1.54 mJ (encendido) / ~0.45 mJ (apagado)	Energía por evento
Tiempo de recuperación inversa del diodo (trr)	~47	ns
Temperatura de operación (Tj)	–55 a +175	°C
Encapsulado / Paquete	TO‑3P / TO‑3PN	Montaje through hole
Diodo interno	Sí (antiparalelo)	Integrado para cargas inductivas

FGA60N65SMD ON