| Tipo de dispositivo |
IGBT N‑Channel Field Stop |
Transistor bipolar de puerta aislada |
| Voltaje colector‑emisor máximo (VCES) |
650 |
V |
| Voltaje puerta‑emisor máximo (VGES) |
±20 |
V |
| Corriente continua de colector (IC) |
120 |
A |
| Corriente pulsada de colector (ICM) |
180 |
A (picos cortos) |
| Disipación de potencia máxima (PD) |
600 |
W |
| Voltaje de saturación C‑E típico (VCE(on)) |
~2.5 V @ VGE=15 V, 60 A |
V |
| Carga de puerta (Qg) |
~189 |
nC |
| Tiempos de conmutación típicos |
~18 ns (encendido) / ~104 ns (apagado) |
ns |
| Energía de conmutación típica |
~1.54 mJ (encendido) / ~0.45 mJ (apagado) |
Energía por evento |
| Tiempo de recuperación inversa del diodo (trr) |
~47 |
ns |
| Temperatura de operación (Tj) |
–55 a +175 |
°C |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑3P / TO‑3PN |
Montaje through hole |
| Diodo interno |
Sí (antiparalelo) |
Integrado para cargas inductivas |
