Parámetro / Característica	Valor / Especificación
Tipo de dispositivo	IGBT + diodo de recuperación rápida interna (Copack, “Soft‑Recovery Diode”)
Encapsulado / Paquete	TO‑220AB (TO‑220‑3)
Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES)	600 V
Corriente continua de colector a T_C = 25 °C (I_C)	19 A
Corriente continua de colector a T_C = 100 °C	10 A
Corriente pulsada de colector / carga inductiva (I_CM / I_LM)	38 A
Corriente continua del diodo (IF @ T_C = 100 °C)	7.0 A
Corriente máxima forward del diodo (IFM)	38 A
Potencia máxima disipada, T_C = 25 °C (P_D)	60 W
Potencia máxima disipada, T_C = 100 °C	24 W
Voltaje gate‑emisor permitido (V_GE)	± 20 V
Rangos de temperatura de operación / almacenamiento (T_J / T_STG)	–55 °C … +150 °C
V_CE(on) típico @ V_GE = 15 V, I_C = 10 A	~ 1.4 V
V_CE(on) máximo @ V_GE = 15 V, I_C = 10 A	~ 1.6 V
Gate‑Charge (Q_G) total	≈ 27 nC
Tiempo de encendido (t_d(on))	~ 62 ns (a 25 °C)
Tiempo de apagado (t_d(off))	~ 690 ns (a 25 °C)
Tiempo de recuperación inversa del diodo (t_rr)	~ 37 ns
Energía de conmutación / Recuperación (condiciones típicas)	~ 320 µJ (turn‑on) / ~ 2.58 mJ (turn‑off)

IRG4BC20SD I&R