| Parámetro / Característica | Valor / Especificación |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), “Generation 4”, con diodo antiparalelo integrado |
| Encapsulado / Paquete | TO‑220AB (Through‑Hole) |
| Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES) | 600 V |
| Corriente continua máxima de colector (I_C @ T_C = 25 °C) | 34 A |
| Corriente pulsada / pico de colector (I_CM / I_LM) | 68 A |
| Potencia máxima disipada (P_D @ case, T_C = 25 °C) | 100 W |
| Voltaje saturación colector‑emisor típico V_CE(on) (V_GE = 15 V, I_C ≈ 18 A) | ~ 1.4 V |
| Voltaje saturación máximo | ~ 1.6 V |
| Carga de puerta (Gate Charge, Q_G) | 50 nC |
| Tiempos de conmutación típicos (turn‑on / turn‑off) | ~ 22 ns / ~ 540 ns |
| Voltaje compuerta‑emisor permitido (V_GE) | ± 20 V |
| Rango de temperatura de unión / almacenamiento (T_J / T_STG) | –55 °C … +150 °C |
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