| Tipo de dispositivo |
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), “UltraFast / Generation 4” |
| Encapsulado / Paquete |
TO‑220AB (Through‑Hole) |
| Voltaje máximo colector‑emisor (V_CES) |
600 V |
| Corriente continua de colector (I_C @ T_C = 25 °C) |
23 A |
| Corriente continua de colector a T_C = 100 °C |
12 A |
| Corriente pulsada / carga inductiva (I_CM / I_LM) |
92 A |
| Potencia máxima disipada (P_D @ T_C = 25 °C) |
100 W |
| Potencia máxima disipada (P_D @ T_C = 100 °C) |
42 W |
| Voltaje puerta‑a‑emisor permitido (V_GE) |
± 20 V |
| Carga de puerta (Gate Charge, Q_G) |
~ 50 nC |
| Voltaje saturación colector‑emisor típico V_CE(on) |
~ 1.95 V @ V_GE = 15 V, I_C = 12 A |
| Voltaje saturación máximo V_CE(on) |
~ 2.1 V @ V_GE = 15 V, I_C = 12 A |
| Tiempos de conmutación (turn‑on / turn‑off) |
~ 17 ns / ~ 78 ns |
| Rango de temperatura de unión / almacenamiento (T_J / T_STG) |
–55 °C … +150 °C |
